本发明提供一种金属互连结构及其制作方法。该制作方法包括:首先在基底上制作金属互连结构,该金属互连结构包括金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层;接着,光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽;最后采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构,该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。采用本发明的技术方案,可以满足一些对悬空金属互连结构的需求,例如,可以减轻与镜头不匹配情形,减小光串扰现象,还可以在悬空结构中填充需要的材质。
1.一种金属互连结构的制作方法,其特征在于,包括:在基底上制作金属互连结构,所述基底为半导体衬底,所述金属互连结构包括至少一层金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层;光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽;采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构,该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中;形成浮置的金属互连结构后还进行弯曲所述浮置的金属互连结构的步骤;其中,所述浮置的金属互连结构能弯曲是通过刻蚀穿透所述半导体衬底形成通孔或上下贯穿的槽实现的,其中,刻蚀穿透所述半导体衬底形成通孔或上下贯穿的槽的方法为:采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,(a)继续刻蚀所述半导体衬底直至该半导体衬底被穿透时停止,或(b)在所述半导体衬底背面进行光刻、刻蚀该半导体衬底直至与浮置的金属互连结构贯通时停止。
2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔步骤中,光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域。
3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔步骤中,光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域与自上而下为金属线图案的区域,自上而下地刻蚀所述金属互连结构步骤中,遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案表面。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,将金属线图案之下的介质层去除步骤中为干法刻蚀去除,干法刻蚀气体为各向同性刻蚀气体。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,将金属线图案之下的介质层去除步骤中为湿法去除。
6.根据权利要求4所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述介质层为二氧化硅,所述各向同性刻蚀气体为HF酸气相蒸汽。
7.根据权利要求5所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述介质层为二氧化硅或氮化硅,采用HF酸或HF酸缓冲溶液去除作为介质层的二氧化硅,采用磷酸去除作为介质层的氮化硅。
8.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,弯曲所述浮置的金属互连结构步骤后还进行在所述浮置的金属互连间填充绝缘高分子材料,固化后形成具有绝缘高分子材料填充物的曲面金属互连结构。
9.根据权利要求8所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述绝缘高分子材料为聚酰亚胺,所述固化采用烘烤。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述半导体衬底上还形成有多个MOS晶体管及光电二极管,所述金属互连结构至少一层金属线图案为所述多个MOS晶体管及光电二极管间的互连线。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,所述制作金属互连结构步骤包括:提供基底;在所述基底上淀积第一介质层;利用光刻定义出通孔图案;淀积导电材质以填充所述通孔;采用CMP,去除通孔外的导电材质;淀积第一层金属;利用光刻刻蚀定义出第一层金属线图案;淀积顶层介质层;CMP所述顶层介质层。
12.根据权利要求11所述的金属互连结构的制作方法,其特征在于,定义出第一层金属线图案步骤后还进行多次淀积介质层至形成金属线图案的步骤,以形成多个金属层的互连结构,之后进行淀积顶层介质层步骤。
13.一种图像传感器,包括半导体衬底及金属互连结构,其特征在于,所述金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中,浮置的金属互连结构呈弯曲状,所述金属互连结构及包埋所述金属互连结构两端的介质层形成在半导体衬底上,所述半导体衬底具有通过刻蚀穿透形成、且与所述浮置的金属互连结构贯通的通孔或上下贯穿的槽。
14.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述介质层为氮化硅或者二氧化硅。
15.根据权利要求13所述的图像传感器,其特征在于,所述金属互连结构包括金属线图案及导电插塞,所述金属线图案的材质为铜或铝,所述导电插塞材质为钨。技术领域
本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种金属互连结构及其制作方法。
背景技术
目前进入市场的图像传感器,分为互补金属氧化物半导体(Complementaryxa0metalxa0Oxidexa0Semiconductor,CMOS)传感器和电荷耦合元件(Charge-coupledxa0Device,CCD)传感器。CMOS或CCD传感器通常具有数十万甚至数百万像素以将光信号转化为电信号,使得在图像传感器中将人或物的原始影像转化为电信号。CMOS或CCD图像传感器由于具有体积小、功耗低、成本低等优点,目前已广泛应用于各种数码图像设备中,例如:数码相机、数码摄像机等电子设备中。关于现有技术中的CMOS图像传感器的结构,如图1所示,在半导体衬底10中形成有感光单元,例如光电二极管11、11’,其上形成有层间介质层12,多个栅极结构13形成于层间介质层12中,该栅极结构13例如用于形成运输电荷电路。层间介质层12上形成有多层金属互连线结构。图1以两层为例,该金属互连线结构包括:多个金属间介电层IMD1、IMD2以及位于金属间介电层IMD1、IMD2内的金属互连线M1、M2。然而,在数码相机或数码摄像机结构中,通常在图像传感器之前需要加镜头,并且随着电子设备的普及,人们对其提出了便携的新需求,这就使得数码相机或摄像机需要减小体积或厚度,这造成镜头与图像传感器的距离不得不越来越近。该距离的减小造成之前可以通过几层镜片来改变光路以达到各传感器单元最大程度垂直入射的方法无法使用,不得不采用调整效果差的单层镜片来实现。换句话说,目前的小型化电子设备中,入射光线经由镜头折射后的光线与图像传感器的感光单元的法线成一定夹角,如图1所示,位于中间区域的光线垂直入射到感光单元,例如光电二极管11上,位于边缘区域的光线倾斜照射到该光电二极管11临近区域的光电二极管11’上,并且越靠近边缘区域,入射光线的倾斜程度越大。这种非垂直入射的光会导致光电二极管的光串扰,倾斜越严重,串扰现象越明显。图1中的光电二极管11、11’之间省略了多个光电二极管。此外,对于彩色的CMOS图像传感器,光串扰会产生混色问题,影响成像质量。针对上述需求,图1中的现有图像传感器显然不能满足。本发明人对上述问题进行了分析,提出一种新的金属互连结构的制作方法及形成的金属互连结构,以解决图像传感器的上述问题,但不限于上述问题。
发明内容
本发明解决的问题是提出一种新的金属互连结构的制作方法及形成的金属互连结构,以解决图像传感器的光串扰问题,但不限于该问题。为解决上述问题,本发明提供一种金属互连结构的制作方法,包括:在基底上制作金属互连结构,所述金属互连结构包括至少一层金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层;光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽;采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构,该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。可选地,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔步骤中,光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域。可选地,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔步骤中,光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域与自上而下为金属线图案的区域,自上而下地刻蚀所述金属互连结构步骤中,遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案表面。可选地,将金属线图案之下的介质层去除步骤中为干法刻蚀去除,干法刻蚀气体为各向同性刻蚀气体。可选地,将金属线图案之下的介质层去除步骤中为湿法去除。可选地,所述介质层为二氧化硅,所述各向同性刻蚀气体为HF酸气相蒸汽。可选地,所述介质层为二氧化硅或氮化硅,采用HF酸或HF酸缓冲溶液去除作为介质层的二氧化硅,采用磷酸去除作为介质层的氮化硅。可选地,其特征在于,所述基底为半导体衬底,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,继续刻蚀所述半导体衬底直至该半导体衬底被穿透时停止。可选地,其特征在于,所述基底为半导体衬底,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,在所述半导体衬底背面进行光刻、刻蚀该半导体衬底直至与浮置的金属互连结构贯通时停止。可选地,形成浮置的金属互连结构后还进行弯曲所述浮置的金属互连结构的步骤。可选地,弯曲所述浮置的金属互连结构步骤后还进行在所述浮置的金属互连间填充绝缘高分子材料,固化后形成具有绝缘高分子材料填充物的曲面金属互连结构。可选地,所述绝缘高分子材料为聚酰亚胺,所述固化采用烘烤。可选地,所述基底为半导体衬底,所述半导体衬底上还形成有多个MOS晶体管及光电二极管,所述金属互连结构至少一层金属线图案为所述多个MOS晶体管及光电二极管间的互连线。可选地,所述制作金属互连结构步骤包括:提供基底;在所述基底上淀积第一介质层;利用光刻定义出通孔图案;淀积导电材质以填充所述通孔;采用CMP,去除通孔外的导电材质;淀积第一层金属;利用光刻刻蚀定义出第一层金属线图案;淀积顶层介质层;CMP所述顶层介质层。可选地,定义出第一层金属线图案步骤后还进行多次淀积介质层至形成金属线图案的步骤,以形成多个金属层的互连结构,之后进行淀积顶层介质层步骤。此外,本发明还提供一种金属互连结构,所述金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。可选地,所述介质层为氮化硅或者二氧化硅。可选地,所述金属互连结构包括金属线图案及导电插塞,所述金属线图案的材质为铜或铝,所述导电插塞材质为钨。与现有技术相比,本发明具有以下优点:首先在基底上制作金属互连结构,该金属互连结构包括金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层;接着,光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽;最后采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构,该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。上述方法形成的结构满足了一些对悬空金属互连结构的需求,例如形成与镜头形状匹配的图像传感器,减小串扰问题;此外,为了使得金属之间的层间电容减小以提高芯片的性能,可以通过在本发明提供的悬空金属线的深槽中填充低k的介电材料,改善传统的标准工艺中介电材料的K值较高问题,还可以在在本发明提供的悬空金属线的深槽中填充柔性材料,制作柔性阵列式压力传感器,该压力传感器采用任意2个柔性或柔/刚接触面表面作用力的分布检测,不仅具有普通阵列式传感器的优点,还具有良好的柔韧性,可以自由弯曲甚至折叠,能够方便地对复杂表面形状的零件进行检测。进一步地,光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构有两种方法,一种为先在自上而下为介质层的区域形成孔或槽,然后通过该孔或槽去除包覆金属线图案的介质层,该包覆金属线图案的介质层包括金属线图案下的介质层;对应的方法为光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域;另一种为在自上而下为介质层及自上而下为金属线图案的区域都进行各项异性刻蚀,自上而下为介质层的区域仍会形成孔或槽,自上而下刻蚀过程中遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案的表面,最后去除金属线图案下的介质层;对应的方法为光刻使用的掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域与自上而下为金属线图案的区域,自上而下地刻蚀所述金属互连结构步骤中,遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案表面;进一步地,该基底为半导体衬底,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,继续刻蚀所述半导体衬底直至该半导体衬底被穿透时停止;上述形成的金属互连结构在通孔中悬空,弯曲上述形成的结构可以使得图像传感器形状匹配镜头的形状,增加了垂直入射到该传感器的感光单元的光线,因而,增加了图像传感器的成像质量;进一步地,该基底为半导体衬底,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,在所述半导体衬底背面进行光刻、刻蚀该半导体衬底直至与浮置的金属互连结构贯通时停止;本方案提供了另一种在通孔中悬空的金属互连结构;进一步地,在深槽或通孔中填充绝缘高分子材料,固化后形成具有绝缘高分子材料填充物的曲面金属互连结构,提高了金属互连结构在使用过程中的性能;进一步地,所述基底为半导体衬底,所述半导体衬底上还形成有多个MOS晶体管及光电二极管,所述金属互连结构至少一层金属线图案为所述多个MOS晶体管及光电二极管间的互连线;本方案可以直接移植到现有的图像传感器制作工艺中,与现有的半导体工艺兼容性强。
附图说明
图1是现有技术中的CMOS图像传感器的结构示意图;图2是本实施例一提供的新的金属互连结构的制作方法的流程图;图3至图6是三个金属层的金属互连结构在制作过程中的中间结构示意图;图7是三个金属层的金属互连结构制作完毕的俯视图;图8是图7中结构沿A-A直线的剖视图;图9是图7中结构沿B-B直线的剖视图;图10是图7中结构采用实施例一中的掩膜板进行光刻步骤完成后的结构示意图;图11是图10中结构自上而下刻蚀完毕后沿B-B直线的剖视图;图12是图10中结构自上而下刻蚀完毕后沿A-A直线的剖视图;图13是图10中结构自上而下刻蚀完毕并去除金属线图案下介质层后沿B-B直线的剖视图;图14是图10中结构自上而下刻蚀完毕并去除金属线图案下介质层后沿A-A直线的剖视图;图15是图14中结构衬底刻穿后的剖视图;图16是本实施例一提供的CMOS图像传感器的结构示意图;图17是图7中结构采用实施例二中的掩膜板进行光刻步骤完成后的结构示意图;图18是图17中结构自上而下刻蚀完毕后沿B-B直线的剖视图。
具体实施方式
本发明提供的金属互连结构的制作方法包括:首先在基底上制作金属互连结构,该金属互连结构包括金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层;接着,光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述金属互连结构,至少在自上而下为介质层的区域形成通孔或槽;最后采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构,该新的金属互连结构除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。这样的结构满足了一些对悬空金属互连结构的需求。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的两个具体实施方式做详细的说明。实施例一以下以图像传感器为例,详细介绍其中的金属互连结构及其制作方法。图2为本实施例一提供的金属互连结构的制作方法的流程图。图3至图6为金属互连结构在制作过程中的中间结构示意图。图7为金属互连结构制作完毕的俯视图,图8、图9分别为图7中沿A-A直线、B-B直线的剖视图。结合图2、图8与图9,首先执行S11,在半导体衬底20上制作金属互连结构27,所述金属互连结构27包括金属线图案、导电插塞及其间填充的介质层。具体地,结合图像传感器,本步骤在执行过程中包括以下步骤S110-S118。首先执行S110,提供半导体衬底20;所述半导体衬底20上还形成有多个MOS晶体管23及光电二极管21,该半导体衬底的截面结构示意图如图3所示,其中显示了3个光电二极管21及3个MOS晶体管23。该半导体衬底20的材质可以为硅、锗、硅-锗等,但不限于上述材质。此外,在其它实施例中,也不限于为半导体衬底,只要其上可以形成金属互连层的基底即可。接着执行S111,在所述半导体衬底20上淀积第一介质层22,形成结构截面示意图如图4所示。第一介质层22可以为现有的介电材料,例如二氧化硅、氮化硅等,但不限于上述材质。然后执行S112,利用光刻定义出通孔(via)24图案,刻蚀后形成结构截面示意图如图5所示。该通孔24可以将其后形成的金属互连结构与MOS晶体管23连通。本步骤中的光刻、刻蚀工艺可以采用现有的工艺。接着执行S113,淀积导电材质以填充所述通孔24。该淀积工艺可以为溅镀或物理气相沉积(PVD)。导电材质的填充目的是在通孔24内形成导电插塞,因此,导电材质可以选择铜、钨等,但不限于上述金属。然后执行S114,CMP,去除通孔24外的导电材质。CMP为化学机械研磨,可以采用现有的工艺。接着执行S115,淀积第一层金属25,形成结构截面示意图如图6所示。第一层金属25材质可以为铜、铝等,但不限于上述列举的材质。执行S116,利用光刻刻蚀定义出第一层金属线图案。本步骤中的光刻、刻蚀工艺可以采用现有的工艺。本步骤形成的第一层金属线图案可以为多个MOS晶体管及光电二极管间的互连线。之后,还可以根据图像传感器需要,执行步骤S111-S116多次,以形成多个金属层的互连结构。本实施例一中,再执行两次,形成具有三个金属层的金属互连结构27。参照图8与图9所示,上述三个金属层的金属互连结构27包括三层金属线图案、每层之间起电连接的导电插塞及第一层金属线图案与半导体衬底20之间的起电连接的导电插塞,其上述结构间的介电层。之后,执行S117,淀积顶层介质层26,仍然参照图8与图9所示。该顶层介质层26可以与第一介质层22材质相同或不同。执行S118,CMP所述顶层介质层26,三个金属层的金属互连结构27制作完毕的俯视图如图7所示,沿A-A直线、B-B直线的剖视图如图8、图9所示。接着执行S12,使掩膜板图案与半导体衬底20中的对准标记对准,掩膜板图案为至少一个孔或带状结构,所述孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域与自上而下为金属线图案的区域;光刻后,采用各项异性干法刻蚀自上而下地刻蚀所述三个金属层的金属互连结构27;自上而下的结构为介质层时,所述介质层被刻蚀形成通孔或槽;自上而下刻蚀过程中遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案表面。本实施例一中,掩膜板图案为带状结构,该掩膜板图案转移到光刻胶上后,形成带状的曝光区域28,其俯视图如图10所示。以该光刻胶图案为掩膜,自上而下地刻蚀过程中,会遇到介质层,也会遇到金属线图案。遇到介质层时,所述介质层被刻蚀形成通孔或槽,遇到金属线图案时,刻蚀停止在金属线图案表面。在具体实施过程中,各项异性干法刻蚀气体为CF₄、CHF₃、C₂F₆、C₃F₈、C₄F₈中的至少一种。在具体实施过程中,可以刻蚀到半导体衬底20的表面停止形成新的三个金属层的金属互连结构27’,如图11与图12所示。此外,上述自上而下刻蚀过程也可以选择刻蚀到半导体衬底20的表面后不停止,继续刻蚀所述半导体衬底20直至该半导体衬底20被穿透时停止。除了从半导体衬底20正面刻蚀外,还可以在自上而下地刻蚀所述金属互连结构27’后,从所述半导体衬底20的背面进行光刻、刻蚀该半导体衬底20直至与浮置的金属互连结构27’贯通时停止,在背面进行光刻、刻蚀工艺更易于控制。然后执行S13,采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构27”,该新的金属互连结构27”除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。在具体实施过程中,本步骤可以根据需去除,或称掏空的介质层材质不同,选择干法刻蚀或湿法去除。与步骤S12不同的是,在具体实施过程中,各介质层(包括第一介质层22与顶层介质层26)为二氧化硅时,各向同性刻蚀可以采用干法刻蚀,也可以采用湿法去除。干法刻蚀气体可以选择HF酸气相蒸汽。湿法去除可以采用HF酸或HF酸缓冲溶液。各介质层(包括第一介质层22与顶层介质层26)为氮化硅时,湿法去除采用磷酸。图13、图14分别为图10中的结构在步骤S12完成后沿B-B直线、A-A直线的剖视图。以在半导体衬底20上形成阵列结构为例,部分相邻单元之间通过金属互连结构27”连通,该结构27”除了两端包埋在单元内的介质层中,其余部分悬空在槽或孔中,这样的结构有诸多应用,例如应用于现有的图像传感器,可以弯曲以减轻与镜头不匹配情形,减小光串扰现象。此外,步骤S12中,自上而下刻蚀过程也可以选择刻蚀到半导体衬底20的表面后可以不停止,继续刻蚀所述半导体衬底20直至该半导体衬底20被穿透时停止,之后执行步骤S13,形成的金属互连结构27”,截面示意图如图15所示,该结构27”在通孔或上下贯穿的槽中悬空,弯曲该结构可以使得图像传感器形状匹配镜头的形状。除了从半导体衬底20正面刻蚀外,还可以在自上而下地刻蚀所述金属互连结构后,在所述半导体衬底20的背面进行光刻、刻蚀该半导体衬底20直至与浮置的金属互连结构27”贯通时停止,在背面进行光刻、刻蚀工艺更易于控制。至此,浮置的金属互连结构27”已经形成。需要说明的是,参照图7所示,本实施例一中给出的在水平方向上各单元之间靠金属互连结构27连接,在其它实施例中,各单元之间在垂直方向也可以有金属互连结构连接,形成“井”字型结构。此外,图7中所示的为一个金属互连结构27,该金属互连结构27为三个金属层间靠导电插塞连接的互连结构,其它实施例中,也可以设置多个平行的该三个金属层或多个金属层的金属互连结构。在具体实施过程中,形成浮置的金属互连结构27”后还进行弯曲所述浮置的金属互连结构的步骤,形成图16中所示的金属互连结构27’”。该金属互连结构27’”应用在CMOS图像传感器上时,与镜头匹配,入射到该传感器的感光单元的光线基本为垂直入射,减小了光串扰现象,因而,增加了图像传感器的成像质量。弯曲所述浮置的金属互连结构27”步骤后还可以根据需要,在所述浮置的金属互连结构27”间填充绝缘高分子材料,固化后形成具有绝缘高分子材料填充物的曲面金属互连结构27’”。本实施例一中,为提高金属互连结构27’”在使用过程中的性能,弯曲所述浮置的金属互连结构27”步骤之前或之后还可以在深槽或通孔中填充绝缘高分子材料,固化后形成具有绝缘高分子材料填充物的曲面金属互连结构。在具体实施过程中,该绝缘高分子材料可以为聚酰亚胺,所述固化采用烘烤。执行上述描述的各步骤,形成了一种金属互连结构,所述金属互连结构如图13、图14、图15及图16所示,该结构为浮置的金属互连结构,除了两端包埋在介质层中,其余部分可以根据不同工艺浮置于深槽或通孔中。该金属互连结构包括金属线图案及导电插塞,所述金属线图案的材质为铜或铝,所述导电插塞材质为钨。两端包埋的介质层为氮化硅或者二氧化硅。实施例二在步骤S12执行过程中,除了实施例一的光刻过程中提供的掩膜板图案中的孔或带状结构对准在自上而下为介质层的区域与自上而下为金属线图案的区域外,本实施例二的光刻过程中提供的掩膜板图案中的孔或带状结构只对准在自上而下为介质层的区域,该掩膜板图案转移到光刻胶上后,形成带状的曝光区域28’,其俯视图如图17所示。以该光刻胶图案为掩膜,在自上而下刻蚀过程中,遇到的只有介质层,所述介质层被刻蚀形成通孔或槽,形成结构沿B-B直线的剖视图如图18所示。该刻蚀过程中采用的参数与实施例一相同。之后,执行S13,采用各向同性去除法将金属线图案之下的介质层去除形成新的金属互连结构27”,该新的金属互连结构27”除了两端包埋在介质层中,其它部分浮置在槽或孔中。本步骤在执行过程中,去除金属线图案之下的介质层的工艺与实施例一相同。以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制。任何熟悉本领域的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。